Bộ nhớ 'DRAM+' mới được thiết kế để cung cấp hiệu suất DRAM với khả năng lưu trữ giống SSD, sử dụng Feram Tech

Công ty Ferroelectric Memory (FMC) đã hợp tác với Neumonda để tái khôi phục sản xuất bộ nhớ DRAM tại Đức. Trước đây, Infineon và Qimonda từng phát triển và sản xuất bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) ở Đức, nhưng việc sản xuất bộ nhớ hàng hóa tại châu Âu đã trở nên không có lãi. Dự án mới của FMC và Neumonda sẽ tập trung vào FeRAM không bay hơi, phục vụ cho các ứng dụng cụ thể.

FMC chuyên phát triển bộ nhớ sử dụng oxit hafnium ferroelectric HfO₂ để tạo ra DRAM có khả năng lưu trữ dữ liệu mà không cần nguồn điện. Công nghệ này thay thế tụ điện trong DRAM bằng phiên bản không bay hơi, giữ hiệu suất cao đồng thời nâng cao hiệu quả năng lượng và khả năng lưu trữ dữ liệu. FMC tin rằng bộ nhớ của họ có thể được ứng dụng rộng rãi trong các lĩnh vực như AI, ô tô, tiêu dùng, công nghiệp và y tế.

Các công nghệ FeRAM cũ thường sử dụng lớp ferroelectric là zirconate titanate chì (PZT) có dung lượng hạn chế, với hầu hết sản phẩm thương mại chỉ đạt vài megabyte, phổ biến là 4MB hoặc 8MB. PZT không tương thích tốt với các quy trình thu nhỏ và việc tích hợp với quy trình CMOS tiêu chuẩn gặp khó khăn và tốn kém. Do đó, cấu trúc tế bào như 1T1C (một transistor, một tụ điện) chiếm nhiều diện tích hơn so với DRAM hoặc NAND.

Một nhà sản xuất chip Trung Quốc vừa ra mắt bộ nhớ lớp lưu trữ tương tự Optane. Công ty thứ ba của Trung Quốc bắt đầu sản xuất bộ nhớ HBM cho các bộ xử lý AI. Việc chuyển sang oxit hafnium là một bước ngoặt quan trọng, vì HfO₂ tương thích với CMOS, có khả năng mở rộng dưới 10nm và có thể tích hợp với quy trình sản xuất bán dẫn hiện tại. Sự sử dụng này cho phép mật độ và hiệu suất cao hơn, có thể đạt từ gigabit đến gigabyte, gần với DRAM.

FMC được thành lập để khai thác phát minh đột phá về hiệu ứng ferro điện của HfO2 cho bộ nhớ bán dẫn. Áp dụng vào DRAM, công nghệ này biến tụ DRAM thành thiết bị lưu trữ không bay hơi, tiêu thụ năng lượng thấp, đồng thời duy trì hiệu suất cao của DRAM, tạo ra bộ nhớ DRAM không bay hơi lý tưởng cho tính toán AI, theo lời Thomas Rueckes, CEO của FMC. Do công nghệ của chúng tôi độc đáo trên thị trường, việc thử nghiệm tiết kiệm chi phí cho các sản phẩm bộ nhớ là rất quan trọng cho danh mục sản phẩm của chúng tôi.

Với Neumonda và cách tiếp cận mới trong thử nghiệm, chúng tôi đã tìm thấy đối tác giúp tăng tốc phát triển sản phẩm. Chúng tôi rất hào hứng hợp tác với Neumonda vì cùng chia sẻ tầm nhìn mang Memory trở lại châu Âu. Neumonda sẽ hỗ trợ FMC bằng cách tư vấn và cung cấp quyền truy cập vào các hệ thống thử nghiệm tiên tiến như Rhinoe, Octopus và Raptor, được thiết kế cho việc kiểm tra bộ nhớ tiết kiệm chi phí, hiệu quả năng lượng và độc lập.

Hệ thống của Neumonda cung cấp phân tích chi tiết mà thiết bị truyền thống không thể thực hiện, với chi phí thấp hơn nhiều. Hai công ty đang phát triển một sản phẩm bộ nhớ mới và tạo nền tảng cho sự phục hồi khả năng bán dẫn châu Âu. Nỗ lực chung của họ nhằm xây dựng một hệ sinh thái địa phương cho thiết kế và thử nghiệm bộ nhớ tiên tiến. Ông Peter Poechmueller, CEO của Neumonda, cho biết các sản phẩm của FMC là nền tảng thử nghiệm lý tưởng để chứng minh khả năng của các máy thử Rhinoe, Octopus và Raptor, cũng như chất lượng cao mà chúng mang lại.

Một trong những mục tiêu cá nhân của tôi khi thành lập Neumonda là đưa sản xuất bộ nhớ bán dẫn trở lại châu Âu. Với sự hợp tác này, chúng tôi tiến gần hơn đến việc thiết lập một nhà sản xuất bộ nhớ mới tại Đức.

Nguồn: www.tomshardware.com/pc-components/dram/dram-memory-designed-to-provide-dram-performance-with-ssd-like-storage-capabilities-uses-feram-tech